12-инчна сафирна плочица за производњу полупроводника великих количина

Кратак опис:

Сафирна плочица од 12 инча је дизајнирана да задовољи растућу потражњу за производњом полупроводника и оптоелектронике велике површине и високог протока. Како се архитектуре уређаја настављају скалирати, а производне линије се крећу ка већим форматима плочица, сафирне подлоге ултра великих пречника нуде јасне предности у продуктивности, оптимизацији приноса и контроли трошкова.

Пошаљите нам имејл

Карактеристике

Детаљан дијаграм

Увођење сафирне плочице од 12 инча

Произведене од високочистог монокристалног Al₂O₃, наше сафирне плочице од 12 инча комбинују одличну механичку чврстоћу, термичку стабилност и квалитет површине. Захваљујући оптимизованом расту кристала и прецизној обради плочица, ове подлоге пружају поуздане перформансе за напредне LED, GaN и посебне полупроводничке примене.

Карактеристике материјала

Сафир (монокристални алуминијум оксид, Al₂O₃) је добро познат по својим изванредним физичким и хемијским својствима. Сафирне плочице од 12 инча наслеђују све предности сафирног материјала, а истовремено пружају много већу употребљиву површину.

Кључне карактеристике материјала укључују:

Изузетно висока тврдоћа и отпорност на хабање
Одлична термичка стабилност и висока тачка топљења
Супериорна хемијска отпорност на киселине и алкалије
Висока оптичка транспарентност од УВ до ИЦ таласних дужина
Одлична својства електричне изолације

Ове карактеристике чине сафирне плочице од 12 инча погодним за тешке услове обраде и процесе производње полупроводника на високим температурама.

Процес производње

Производња сафирних плочица од 12 инча захтева напредне технологије раста кристала и ултрапрецизне обраде. Типичан производни процес укључује:

Раст монокристала
Кристали сафира високе чистоће узгајају се коришћењем напредних метода као што су KY или друге технологије раста кристала великог пречника, обезбеђујући једнолику оријентацију кристала и низак унутрашњи напон.
Обликовање и сечење кристала
Сафирни ингот је прецизно обликован и исечен на плочице од 12 инча коришћењем високопрецизне опреме за сечење како би се минимизирало оштећење подземља.
Лаповање и полирање
Вишестепени процеси лепљења и хемијско-механичког полирања (CMP) примењују се како би се постигла одлична храпавост површине, равност и уједначеност дебљине.
Чишћење и инспекција
Свака сафирна плочица од 12 инча пролази кроз темељно чишћење и строгу инспекцију, укључујући анализу квалитета површине, TTV, савијања, искривљења и дефеката.

Апликације

Сафирне плочице од 12 инча се широко користе у напредним и новим технологијама, укључујући:

ЛЕД подлоге велике снаге и велике осветљености
Уређаји за напајање и РФ уређаји базирани на GaN-у
Носач полупроводничке опреме и изолационе подлоге
Оптички прозори и оптичке компоненте велике површине
Напредно паковање полупроводника и специјални носачи процеса

Велики пречник омогућава већи проток и побољшану исплативост у масовној производњи.

Предности сафирних плочица од 12 инча

Већа употребљива површина за већи излаз уређаја по плочици
Побољшана конзистентност и уједначеност процеса
Смањени трошкови по уређају у великој количини производње
Одлична механичка чврстоћа за руковање великим димензијама
Прилагодљиве спецификације за различите примене

Опције прилагођавања

Нудимо флексибилно прилагођавање за сафирне плочице од 12 инча, укључујући:

Оријентација кристала (C-раван, A-раван, R-раван, итд.)
Толеранција дебљине и пречника
Једнострано или двострано полирање
Дизајн профила ивице и закошеног ивице
Захтеви за храпавост и равност површине

Параметар	Спецификација	Белешке
Пречник плочице	12 инча (300 мм)	Стандардна плочица великог пречника
Материјал	Монокристални сафир (Al₂O₃)	Висока чистоћа, електронски/оптички квалитет
Оријентација кристала	C-раван (0001), A-раван (11-20), R-раван (1-102)	Доступне су опционе оријентације
Дебљина	430–500 μm	Прилагођена дебљина доступна на захтев
Толеранција дебљине	±10 μm	Уска толеранција за напредне уређаје
Укупна варијација дебљине (TTV)	≤10 μm	Обезбеђује једнолику обраду по целој плочици
Лук	≤50 μm	Мерено преко целе плочице
Варп	≤50 μm	Мерено преко целе плочице
Површинска завршна обрада	Једнострано полирано (SSP) / Двострано полирано (DSP)	Висококвалитетна оптичка површина
Храпавост површине (Ra)	≤0,5 nm (полирано)	Глаткоћа на атомском нивоу за епитаксијални раст
Профил ивице	Закошена / Заобљена ивица	Да би се спречило крзање током руковања
Тачност оријентације	±0,5°	Обезбеђује правилан раст епитаксијалног слоја
Густина дефеката	<10 цм⁻²	Мерено оптичким прегледом
Равност	≤2 μm / 100 mm	Обезбеђује уједначену литографију и епитаксијални раст
Чистоћа	Класа 100 – Класа 1000	Компатибилно са чистим просторијама
Оптички пренос	>85% (УВ–ИЦ)	Зависи од таласне дужине и дебљине

Честа питања о сафирним плочицама од 12 инча

П1: Која је стандардна дебљина сафирне плочице од 12 инча?
A: Стандардна дебљина се креће од 430 μm до 500 μm. Такође се могу произвести прилагођене дебљине према захтевима купца.

П2: Које су оријентације кристала доступне за сафирне плочице од 12 инча?
A: Нудимо оријентације C-равни (0001), A-равни (11-20) и R-равни (1-102). Друге оријентације се могу прилагодити на основу специфичних захтева уређаја.

П3: Колика је укупна варијација дебљине (TTV) плочице?
A: Наше сафирне плочице од 12 инча обично имају TTV ≤10 μm, што обезбеђује једноликост по целој површини плочице за висококвалитетну израду уређаја.

О нама

XKH је специјализован за високотехнолошки развој, производњу и продају специјалног оптичког стакла и нових кристалних материјала. Наши производи служе оптичкој електроници, потрошачкој електроници и војсци. Нудимо сафирне оптичке компоненте, поклопце за сочива мобилних телефона, керамику, LT, силицијум карбид SIC, кварц и полупроводничке кристалне плочице. Са стручним знањем и најсавременијом опремом, истичемо се у обради нестандардних производа, циљајући да будемо водеће високотехнолошко предузеће у области оптоелектронских материјала.