Носач подлоге за сафирну плочицу од 150 мм, 6 инча, 0,7 мм, 0,5 мм, C-равни, SSP/DSP
Апликације
Примене за сафирне плочице од 6 инча укључују:
1. Производња ЛЕД диода: сафирна плочица може се користити као подлога ЛЕД чипова, а њена тврдоћа и топлотна проводљивост могу побољшати стабилност и век трајања ЛЕД чипова.
2. Производња ласера: Сафирна плочица се такође може користити као подлога ласера, како би се побољшале перформансе ласера и продужио век трајања.
3. Производња полупроводника: Сафирне плочице се широко користе у производњи електронских и оптоелектронских уређаја, укључујући оптичку синтезу, соларне ћелије, високофреквентне електронске уређаје итд.
4. Друге примене: Сафирна плочица се такође може користити за производњу екрана осетљивих на додир, оптичких уређаја, танкослојних соларних ћелија и других високотехнолошких производа.
Спецификација
| Материјал | Монокристал Al2O3 високе чистоће, сафирна плочица. |
| Димензија | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 inča |
| Дебљина | 1300 +/- 25 ум |
| Оријентација | C раван (0001) од M (1-100) равни 0,2 +/- 0,05 степени |
| Примарна равна оријентација | Раван +/- 1 степен |
| Примарна дужина равне површине | 47,5 мм +/- 1 мм |
| Укупна варијација дебљине (TTV) | <20 микрона |
| Лук | <25 микрона |
| Варп | <25 микрона |
| Коефицијент термичког ширења | 6,66 x 10⁻⁶ / °C паралелно са C осом, 5 x 10⁻⁶ /°C нормално на C осу |
| Диелектрична чврстоћа | 4,8 x 10⁶ V/cm |
| Диелектрична константа | 11,5 (1 MHz) дуж C осе, 9,3 (1 MHz) нормално на C осу |
| Тангенс диелектричних губитака (такође познат као фактор дисипације) | мање од 1 x 10⁻⁴ |
| Топлотна проводљивост | 40 W/(mK) на 20℃ |
| Полирање | једнострано полирано (SSP) или двострано полирано (DSP) Ra < 0,5 nm (AFM-ом). Задња страна SSP плочице је фино брушена до Ra = 0,8 - 1,2 μm. |
| Трансмисија | 88% +/-1% @460 nm |
Детаљан дијаграм
