150 мм 6 инча 0,7 мм 0,5 мм сафирни носач подлоге за плочице Ц-раван ССП/ДСП

Кратак опис:

Све горе наведено су тачни описи сафирних кристала.Одличне перформансе сафирног кристала чине га широко примењеним у врхунским техничким областима.Са брзим развојем ЛЕД индустрије, потражња за материјалима од сафирних кристала се такође повећава.

Пошаљите нам емаил

Детаљи о производу

Ознаке производа

Апликације

Пријаве за 6-инчне сафирне плочице укључују:

1. Производња ЛЕД диода: сафирна плочица се може користити као супстрат ЛЕД чипова, а његова тврдоћа и топлотна проводљивост могу побољшати стабилност и век трајања ЛЕД чипова.

2. Производња ласера: Сафирна плочица се такође може користити као супстрат ласера, како би се побољшале перформансе ласера и продужио век трајања.

3. Производња полупроводника: Сафирне плочице се широко користе у производњи електронских и оптоелектронских уређаја, укључујући оптичку синтезу, соларне ћелије, високофреквентне електронске уређаје итд.

4. Остале примене: Сафирна плочица се такође може користити за производњу екрана осетљивог на додир, оптичких уређаја, танкослојних соларних ћелија и других високотехнолошких производа.

Спецификација

Материјал	Монокристални Ал2О3 високе чистоће, плочица од сафира.
Димензија	150 мм +/- 0,05 мм, 6 инча
Дебљина	1300 +/- 25 ум
Оријентација	Ц раван (0001) искључен М (1-100) раван 0,2 +/- 0,05 степени
Примарна равна оријентација	Раван +/- 1 степен
Примарна равна дужина	47,5 мм +/- 1 мм
Варијација укупне дебљине (ТТВ)	<20 ум
Лук	<25 ум
Варп	<25 ум
Коефицијент термичке експанзије	6,66 к 10-6 / °Ц паралелно са Ц осом, 5 к 10-6 /°Ц окомито на Ц осу
Диелектрична чврстоћа	4,8 к 105 В/цм
Диелектрична константа	11,5 (1 МХз) дуж Ц осе, 9,3 (1 МХз) окомито на Ц осу
Тангента диелектричног губитка (ака фактор дисипације)	мање од 1 к 10-4
Топлотна проводљивост	40 В/(мК) на 20℃
Полирање	једнострано полирани (ССП) или двоструко полирани (ДСП) Ра < 0,5 нм (по АФМ).Повратна страна ССП плочице је фино млевена до Ра = 0,8 - 1,2 ум.
Трансмиттанце	88% +/-1 % @460 нм