6инцх СиЦ Епитакии вафер Н/П тип прихвата прилагођено
Процес припреме епитаксијалне плочице од силицијум карбида је метода која користи технологију хемијског таложења на пару (ЦВД).У наставку су релевантни технички принципи и кораци припремног процеса:
Технички принцип:
Хемијско таложење паре: Коришћењем гаса сировог материјала у гасној фази, под специфичним реакционим условима, он се разлаже и депонује на подлогу да би се формирао жељени танак филм.
Реакција у гасној фази: Кроз реакцију пиролизе или крекинга, различити сировински гасови у гасној фази се хемијски мењају у реакционој комори.
Кораци припремног процеса:
Третман подлоге: Подлога се подвргава површинском чишћењу и претходној обради како би се обезбедио квалитет и кристалност епитаксијалне плочице.
Отклањање грешака у реакционој комори: подесите температуру, притисак и брзину протока реакционе коморе и друге параметре како бисте осигурали стабилност и контролу реакционих услова.
Снабдевање сировинама: снабдевање потребних гасних сировина у реакциону комору, мешање и контрола протока по потреби.
Реакциони процес: Загревањем реакционе коморе, гасовита сировина пролази кроз хемијску реакцију у комори да би се добио жељени депозит, односно филм силицијум карбида.
Хлађење и пражњење: На крају реакције, температура се постепено снижава да би се охладиле и учврстиле наслаге у реакционој комори.
Епитаксијално жарење и накнадна обрада: депонована епитаксијална плочица се жари и накнадно обрађује да би се побољшала њена електрична и оптичка својства.
Специфични кораци и услови процеса припреме епитаксијалне плочице од силицијум карбида могу се разликовати у зависности од специфичне опреме и захтева.Горе наведено је само општи ток и принцип процеса, специфичну операцију треба прилагодити и оптимизовати у складу са стварном ситуацијом.
Детаљан дијаграм
![ВецхатИМГ321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![ВецхатИМГ320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)