SiC керамичка плоча од графита са CVD SiC премазом за опрему

Силицијум-карбидна керамика се не користи само у фази таложења танких филмова, као што су епитаксија или MOCVD, или у обради плочица, у чијем срцу се носачи плочица за MOCVD прво излажу окружењу за таложење, и стога су веома отпорни на топлоту и корозију. Носачи обложени SiC такође имају високу топлотну проводљивост и одлична својства расподеле топлоте.

Носачи плочица од силицијум карбида (CVD SiC) добијених чистим хемијским таложењем из парне фазе за обраду металоорганским хемијским таложењем из парне фазе на високим температурама (MOCVD).

Чисти CVD SiC носачи плочица су значајно супериорнији од конвенционалних носача плочица који се користе у овом процесу, а који су од графита и пресвучени слојем CVD SiC. Ови пресвучени носачи на бази графита не могу да издрже високе температуре (1100 до 1200 степени Целзијуса) потребне за таложење GaN данашњих плаво-белих ЛЕД диода високог сјаја. Високе температуре узрокују да се у премазу развију ситне рупице кроз које хемикалије процеса еродирају графит испод. Честице графита се затим љуште и контаминирају GaN, што доводи до замене пресвученог носача плочице.

CVD SiC има чистоћу од 99,999% или више и има високу топлотну проводљивост и отпорност на термичке ударе. Због тога може да издржи високе температуре и тешка окружења производње ЛЕД диода високог сјаја. То је чврсти монолитни материјал који достиже теоријску густину, производи минималне честице и показује веома високу отпорност на корозију и ерозију. Материјал може да мења непрозирност и проводљивост без уношења металних нечистоћа. Носачи плочица су обично пречника 17 инча и могу да приме до 40 плочица од 2-4 инча.