200 мм 8 инча ГаН на сафирној Епи-слој плочице
Представљање производа
8-инчни ГаН-он-Саппхире супстрат је висококвалитетни полупроводнички материјал састављен од слоја галијум нитрида (ГаН) који расте на сафирној подлози.Овај материјал нуди одличне електронске транспортне карактеристике и идеалан је за производњу полупроводничких уређаја велике снаге и високе фреквенције.
Мануфацтуринг Метход
Производни процес укључује епитаксијални раст слоја ГаН на сафирној подлози коришћењем напредних техника као што су метално-органско хемијско таложење паре (МОЦВД) или епитаксија молекуларним снопом (МБЕ).Таложење се врши под контролисаним условима како би се обезбедио висок квалитет кристала и униформност филма.
Апликације
8-инчни ГаН-он-Саппхире супстрат налази широку примену у различитим областима укључујући микроталасне комуникације, радарске системе, бежичну технологију и оптоелектронику.Неке од уобичајених апликација укључују:
1. РФ појачивачи снаге
2. Индустрија ЛЕД расвете
3. Бежични мрежни комуникациони уређаји
4. Електронски уређаји за окружења високе температуре
5. Oптоелектронски уређаји
Спецификације
-Димензија: Величина подлоге је 8 инча (200 мм) у пречнику.
- Квалитет површине: Површина је полирана до високог степена глаткоће и показује одличан квалитет попут огледала.
- Дебљина: Дебљина слоја ГаН може се прилагодити на основу специфичних захтева.
- Паковање: Подлога је пажљиво упакована у антистатичке материјале како би се спречила оштећења током транспорта.
- Равна оријентација: Подлога има специфичну оријентацију равно да помогне у поравнању плочице и руковању током процеса производње уређаја.
- Остали параметри: Специфичности дебљине, отпорности и концентрације допанта могу се прилагодити према захтевима купца.
Са својим врхунским својствима материјала и разноврсном применом, 8-инчни ГаН-он-Саппхире супстрат је поуздан избор за развој полупроводничких уређаја високих перформанси у различитим индустријама.
Осим ГаН-Он-Саппхире-а, такође можемо да понудимо у области примене енергетских уређаја, фамилија производа укључује 8-инчне АлГаН/ГаН-он-Си епитаксијалне плочице и 8-инчне П-цап АлГаН/ГаН-он-Си епитаксијалне наполитанке.Истовремено смо иновирали примену сопствене напредне 8-инчне ГаН епитаксијске технологије у микроталасном пољу и развили 8-инчни АлГаН/ГАН-он-ХР Си епитаксну плочицу која комбинује високе перформансе са великом величином, ниском ценом и компатибилан са стандардном обрадом уређаја од 8 инча.Поред галијум нитрида на бази силицијума, имамо и линију производа епитаксијалних плочица АлГаН/ГаН-он-СиЦ како бисмо задовољили потребе купаца за епитаксијалним материјалима на бази силицијум-нитрида.
Детаљан дијаграм
