3 инча 76,2 мм 4Х-Семи СиЦ супстратне плочице Силицијум карбид Полу-погрешне СиЦ плочице

Кратак опис:

Висококвалитетна монокристална СиЦ плочица (силицијум карбид) за електронску и оптоелектронску индустрију.СиЦ плочица од 3 инча је полупроводнички материјал следеће генерације, полуизолационе плочице од силицијум-карбида пречника 3 инча.Области су намењене за производњу енергетских, РФ и оптоелектронских уређаја.

Пошаљите нам емаил

Детаљи о производу

Ознаке производа

Опис

3-инчне 4Х полуизоловане СиЦ (силицијум карбидне) подлоге су полупроводнички материјал који се обично користи.4Х означава тетрахексаедарску кристалну структуру.Полуизолација значи да подлога има високе карактеристике отпора и може бити донекле изолована од струјног тока.

Такве подлоге имају следеће карактеристике: високу топлотну проводљивост, мали губитак проводљивости, одличну отпорност на високе температуре и одличну механичку и хемијску стабилност.Пошто силицијум карбид има широк енергетски јаз и може да издржи високе температуре и услове високог електричног поља, 4Х-СиЦ полуизоловане плочице се широко користе у енергетској електроници и радио фреквенцијским (РФ) уређајима.

Главне примене 4Х-СиЦ полуизолованих плочица укључују:

1 – Енергетска електроника: 4Х-СиЦ плочице се могу користити за производњу уређаја за пребацивање снаге као што су МОСФЕТ (метални оксидни полупроводнички транзистори са ефектом поља), ИГБТ (биполарни транзистори са изолованим вратима) и Шотки диоде.Ови уређаји имају мање проводљиве и комутационе губитке у окружењима високог напона и високе температуре и нуде већу ефикасност и поузданост.

2 – Радиофреквентни (РФ) уређаји: 4Х-СиЦ полуизоловане плочице се могу користити за производњу РФ појачавача снаге високе снаге, отпорника за чипове, филтера и других уређаја.Силицијум карбид има боље перформансе високе фреквенције и термичку стабилност због веће стопе померања засићења електрона и веће топлотне проводљивости.

3--Оптоелектронски уређаји: 4Х-СиЦ полуизоловане плочице могу се користити за производњу ласерских диода велике снаге, детектора УВ светлости и оптоелектронских интегрисаних кола.

У смислу тржишног правца, потражња за 4Х-СиЦ полуизолованим плочицама расте са растућим пољима енергетске електронике, РФ и оптоелектронике.То је због чињенице да силицијум карбид има широк спектар примена, укључујући енергетску ефикасност, електрична возила, обновљиву енергију и комуникације.У будућности, тржиште за 4Х-СиЦ полуизоловане плочице остаје веома обећавајуће и очекује се да ће заменити конвенционалне силицијумске материјале у различитим применама.