6-инчна ХПСИ СиЦ подлога за подлогу Силицијум карбид Полу-погрешне СиЦ плочице

Тренутне методе раста за СиЦ монокристал углавном укључују следеће три: метод течне фазе, метод хемијског таложења на високим температурама и метод физичког транспорта у парној фази (ПВТ).Међу њима, ПВТ метода је најистраженија и најзрелија технологија за раст монокристала СиЦ, а њене техничке потешкоће су:

(1) СиЦ монокристал на високој температури од 2300 ° Ц изнад затворене графитне коморе да би се завршио процес рекристализације конверзије „чврсто – гас – чврсто“, циклус раста је дуг, тежак за контролу и склон микротубулама, инклузијама и други недостаци.

(2) Силицијум карбид монокристал, укључујући више од 200 различитих типова кристала, али производња генералног само једног типа кристала, лака за производњу трансформације кристалног типа у процесу раста што резултира дефектима више типова инклузија, процес припреме једног специфичног типа кристала је тешко контролисати стабилност процеса, на пример, тренутни главни ток 4Х-типа.

(3) Термално поље раста монокристала силицијум карбида постоји температурни градијент, што резултира у процесу раста кристала природног унутрашњег напрезања и изазваних дислокација, кварова и других дефеката.

(4) Процес раста монокристала силицијум карбида треба да строго контролише уношење спољашњих нечистоћа, како би се добио полуизолациони кристал веома високе чистоће или усмерено допирани проводни кристал.За полуизолационе подлоге од силицијум карбида које се користе у РФ уређајима, електрична својства треба да се постигну контролисањем веома ниске концентрације нечистоћа и специфичних типова тачкастих дефеката у кристалу.