СиЦ
-
4Х-Н 4 инча СиЦ супстрат плочица за производњу силицијум карбида Думми истраживачка класа
-
6 инча 150 мм силицијум карбид СиЦ плочице типа 4Х-Н за МОС или СБД производно истраживање и лажни разред
-
8-инчни 200мм 4Х-Н СиЦ Вафер Цондуцтиве Думми истраживачка класа
-
2 инчне плочице од силицијум карбида 6Х или 4Х Н-типа или полуизолационе СиЦ подлоге